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首页 全部分类 NSVT3946DXV6T1G vs RN1910FE,LF(CT

NSVT3946DXV6T1G备选型号: RN1910FE,LF(CT

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  • 极性
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    NSVT3946DXV6T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN|PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-563 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    40V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    500mW
    500mW
    NPN, PNP
    300mV
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
    300MHz 250MHz
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1910FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    120
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    100mW
    100mW
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    -
    符合RoHS标准
    -
    ES6
    3.005049mg
    NPN
    100nA ICBO
    50V
    50V
    5V
    4.7kOhms
    100mA
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SOT-563, SOT-666 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor 对比
MMDT3904V-7 MMDT3904V-7 Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 SOT-563, SOT-666 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 对比
MMDT3906VC-7 MMDT3906VC-7 Diodes Incorporated 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 SOT-563, SOT-666 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563 对比