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首页 全部分类 NTA7002NT1G vs DMG3407SSN-7

NTA7002NT1G备选型号: DMG3407SSN-7

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  • 最高工作温度
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  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTA7002NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    15 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    3
    SC-75, SOT-416
    154mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    7.5Ohm
    150°C
    -55°C
    30V
    154mA
    1
    Single
    300mW
    13 ns
    N-Channel
    7Ohm @ 154mA, 4.5V
    1.5V @ 100μA
    20pF @ 5V
    15ns
    30V
    ±10V
    60 ns
    154mA
    1V
    10V
    30V
    20pF
    1.4Ohm
    7 Ω
    1 V
    800μm
    1.65mm
    900μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG3407SSN-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SC-59
    -
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.8W
    6 ns
    P-Channel
    50m Ω @ 4.1A, 10V
    2.1V @ 250μA
    700pF @ 15V
    12.9ns
    30V
    ±20V
    30.7 ns
    4A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    7.994566mg
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    16nC @ 10V
    4A
    0.05Ohm
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