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NTB18N06G备选型号: STB16NF06LT4
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 系列
- 终端
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON15A Tc-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)60V鸥翼26015A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET48.4WDRAINN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 7.5A, 10V4V @ 250μA450pF @ 25V22nC @ 10V25ns±20V13 ns15A20V0.09Ohm60V45A61 mJ符合RoHS标准无铅---------------
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON20 ns-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed60V鸥翼24516A304R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET45WDRAINN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 8A, 10V1V @ 250μA (Min)345pF @ 25V10nC @ 4.5V37ns±16V12.5 ns16A16V-60V64A-ROHS3 Compliant无铅12 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)STripFET™SMD/SMT90MOhmSTB16N10 ns1V60V4 V10.4mm10.75mm4.6mm无无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | 对比 |
| STB16NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| NTB18N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |
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