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NTB22N06T4备选型号: HUFA76419S3ST
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON22A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e0Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)60VSINGLE鸥翼not_compliant22A3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA700pF @ 25V32nC @ 10V39ns±20V22A0.06Ohm66A72 mJNon-RoHS Compliant含铅--------------
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-29A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2002-Obsolete1 (Unlimited)---60V---27A------N-Channel-35mOhm @ 29A, 10V3V @ 250μA900pF @ 25V28nC @ 10V66ns±16V29A---符合RoHS标准无铅3D2PAK (TO-263AB)UltraFET™175°C-55°CSingle75W60V76 ns16V60V900pF29mOhm35 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB27N06LT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3 | 对比 |
| HUFA76419S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | 对比 |
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