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NTB30N06G备选型号: IRF9Z34NSTRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON27A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)8541.29.00.9560V鸥翼26027A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88.2WDRAINN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 15A, 10V4V @ 250μA1200pF @ 25V46nC @ 10V36ns±20V31 ns27A20V0.042Ohm60V80A101 mJ符合RoHS标准无铅------------------
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON19A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)1997e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--55V鸥翼260-19A30-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET68WDRAINP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA620pF @ 25V35nC @ 10V55ns±20V41 ns-19A20V--55V68A-ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks3HEXFET®EAR99100mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY113 ns-2V55V82 ns175°C-4 V4.83mm10.668mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK | 对比 |
| NTB5605PG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | 对比 |
| NTB25P06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK | 对比 |
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