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NTB30N06G备选型号: NTB5605PG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON27A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)8541.29.00.9560V鸥翼26027A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88.2WDRAINN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 15A, 10V4V @ 250μA1200pF @ 25V46nC @ 10V36ns±20V31 ns27A20V0.042Ohm60V80A101 mJ符合RoHS标准无铅------
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON18.5A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)--60V鸥翼260-18.5A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88WDRAINP-ChannelSWITCHING140m Ω @ 8.5A, 5V2V @ 250μA1190pF @ 25V22nC @ 5V122ns±20V75 ns18.5A20V0.14Ohm-60V55A-符合RoHS标准无铅OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)3yesEAR9960V17A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | 对比 |
| NTB5605PG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | 对比 |
| NTB25P06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK | 对比 |
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