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NTB5404NT4G备选型号: FDB8870-F085
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 系列
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON167A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET167WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA7000pF @ 32V125nC @ 10V65ns±20V85 ns136A20V0.0045Ohm40V258A无符合RoHS标准无铅------
MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCHLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON23A Ta 160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3yesObsolete1 (Unlimited)2-Tin (Sn)鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA5200pF @ 15V132nC @ 10V98ns±20V47 ns23A20V0.0044Ohm30V-无符合RoHS标准-表面贴装1.31247gAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®26030160A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | 对比 |
| FDB8870-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH | 对比 |
| NVB5404NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | D2PAK | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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