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NTB75N06G备选型号: IRF1010ESTRLPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 接通延迟时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Ta-55°C~175°C TJTube2010e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)30V鸥翼未说明75A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET214WDRAINN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 37.5A, 10V4V @ 250μA4510pF @ 25V130nC @ 10V112ns±20V100 ns75A20V0.0095Ohm60V225A844 mJ2.8 V无SVHC符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON84A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2002e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-60V鸥翼26084A30-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET170WDRAINN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA3210pF @ 25V130nC @ 10V78ns±20V53 ns84A20V-60V--4 VUnknownROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksTinHEXFET®12mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY12 ns75A4.826mm10.668mm9.65mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB141NF55 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | 对比 |
| IRF1018ESPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
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