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首页 全部分类 NTBV45N06T4G vs FQB50N06LTM

NTBV45N06T4G备选型号: FQB50N06LTM

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 驱动器数量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTBV45N06T4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    45A Ta
    2004
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    2.4W
    3
    45A
    10 ns
    N-Channel
    26m Ω @ 22.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1725pF @ 25V
    46nC @ 10V
    101ns
    60V
    106 ns
    45A
    20V
    1
    4.83mm
    10.29mm
    9.65mm
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB50N06LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    52.4A Tc
    2001
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20 ns
    N-Channel
    21m Ω @ 26.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    32nC @ 5V
    380ns
    -
    145 ns
    52.4A
    20V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    7 Weeks
    Tin
    1.31247g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    QFET®
    2
    60V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    52.4A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3.75W
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    2.5V
    0.025Ohm
    60V
    990 mJ
    无SVHC
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