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NTBV75N06T4G备选型号: STB141NF55
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 操作温度
- 系列
- 基本部件号
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
Trans MOSFET N-CH 60V 75A T/R25 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON75A TaTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.952.4WSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明3AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 37.5A, 10V4V @ 250μA4510pF @ 25V130nC @ 10V60V±20V75A0.0095Ohm225A60V844 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A TcTape & Reel (TR)e3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed---鸥翼245not_compliant未说明3-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA5300pF @ 25V142nC @ 10V-±20V80A0.008Ohm---ROHS3 Compliant3-55°C~175°C TJSTripFET™ IISTB141N不合格Single300W150ns45 ns20V55V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB141NF55 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |
 | IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
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