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首页 全部分类 NTD18N06T4G vs STD16NF06T4

NTD18N06T4G备选型号: STD16NF06T4

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD18N06T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    18A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    未说明
    18A
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    710pF @ 25V
    30nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    20 ns
    18A
    20V
    0.06Ohm
    60V
    54A
    72 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD16NF06T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    260
    16A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    70m Ω @ 8A, 10V
    2V @ 250μA
    400pF @ 15V
    14.1nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.5 ns
    16A
    20V
    -
    60V
    64A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STripFET™ II
    EAR99
    70MOhm
    STD16
    4 ns
    2V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
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