NTD20N03L27-001备选型号: NTD4809NA-1G
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 20A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA20A Ta2V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2003Obsolete1 (Unlimited)30V20ASingle74WN-Channel27m Ω @ 10A, 5V1260pF @ 25V18.9nC @ 10V137ns±20V31 ns20A20V30VNon-RoHS Compliant含铅--
- MOSFET N-CH 30V 9A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA25.3 ns2.5V @ 250μA-55°C~175°C TJTube2007Obsolete1 (Unlimited)--Single2WN-Channel9m Ω @ 30A, 10V1456pF @ 12V13nC @ 4.5V22.7ns±20V2.3 ns11.5A20V30V符合RoHS标准-3无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLU8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | 对比 |
| NTD4808N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK | 对比 | |
| NTD4809NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | 对比 |



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