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首页 全部分类 NTD20N06LG vs NTDV20N06LT4G

NTD20N06LG备选型号: NTDV20N06LT4G

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • HTS代码
  • 参考标准
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD20N06LG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    260
    20A
    40
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 10A, 5V
    2V @ 250μA
    990pF @ 25V
    32nC @ 5V
    98ns
    ±15V
    62 ns
    20A
    15V
    0.048Ohm
    60V
    60A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTDV20N06LT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    3
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 10A, 5V
    2V @ 250μA
    990pF @ 25V
    32nC @ 5V
    98ns
    ±15V
    62 ns
    20A
    15V
    0.048Ohm
    -
    60A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    22 Weeks
    8541.29.00.95
    AEC-Q101
    9.6 ns
    60V
    60V
    128 mJ
    无
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