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NTD20P06LT4G备选型号: NTD20N06T4
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 端子表面处理
- HTS代码
- Reach合规守则
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON15.5A Ta-55°C~175°C TJCut Tape (CT)2005e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99130mOhm-60V鸥翼260-15A403R-PSSO-G2Single增强型MOSFET65WDRAIN11 nsP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 7.5A, 5V2V @ 250μA1190pF @ 25V26nC @ 5V90ns60V±20V70 ns15.5A-1.5V20V-60V50A-1.5 V2.38mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK---表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON20A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e0-Obsolete1 (Unlimited)2--60V鸥翼24020A303R-PSSO-G2Single增强型MOSFET60WDRAIN-N-ChannelSWITCHING46m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA1015pF @ 25V30nC @ 10V60.5ns-±20V37.1 ns20A-20V60V60A------Non-RoHS Compliant含铅表面贴装Tin/Lead (Sn80Pb20)8541.29.00.95not_compliant不合格0.046Ohm170 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD20N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
 | STD16NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A | 对比 |
| NTD20N06T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
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