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NTD23N03RT4备选型号: NTD70N03RG

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  • Reach合规守则
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  • 箱体转运
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 下降时间（典型值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTD23N03RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    3.8A Ta 17.1A Tc
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    25V
    鸥翼
    240
    not_compliant
    23A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    22.3W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    225pF @ 20V
    3.76nC @ 4.5V
    14.9ns
    ±20V
    17.1A
    20V
    3.8A
    0.06Ohm
    25V
    40A
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    2008
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    25V
    鸥翼
    260
    -
    72A
    40
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    ±20V
    32A
    20V
    62.8A
    0.013Ohm
    25V
    140A
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    1.3 ns
    71.7 mJ
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