NTD24N06-001备选型号: HUF76419D3

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    24A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    24A
    Single
    62.5W
    N-Channel
    42m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    48nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    27 ns
    24A
    20V
    60V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    20A
    Single
    75W
    N-Channel
    37m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    900pF @ 25V
    27.5nC @ 10V
    35ns
    ±16V
    50 ns
    20A
    16V
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
    UltraFET™
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