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首页 全部分类 NTD40N03RT4G vs NTD30N02G

NTD40N03RT4G备选型号: NTD30N02G

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTD40N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    7.8A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    12.6MOhm
    Tin (Sn)
    25V
    鸥翼
    40A
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16.5m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    584pF @ 20V
    5.78nC @ 4.5V
    19.5ns
    ±20V
    3.5 ns
    45A
    20V
    32A
    25V
    1.7 V
    Unknown
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD30N02G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    15 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    24V
    鸥翼
    30A
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    14.5m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 250μA
    1000pF @ 20V
    20nC @ 4.5V
    115ns
    ±20V
    17 ns
    30A
    20V
    -
    24V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    8541.29.00.95
    260
    未说明
    不合格
    0.0145Ohm
    100A
    50 mJ
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