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NTD4806N-1G备选型号: NTD4806NA-1G

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • ON Semiconductor
    NTD4806N-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    11.3A Ta 79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3
    Single
    2.14W
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2142pF @ 12V
    23nC @ 4.5V
    23.8ns
    ±20V
    4.7 ns
    79A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4806NA-1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    1
    -
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    2.14W
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2142pF @ 12V
    23nC @ 4.5V
    23.8ns
    -
    4.7 ns
    14A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    175°C
    -55°C
    2.14W
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