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首页 全部分类 NTD4806N-1G vs NTD85N02R-001

NTD4806N-1G备选型号: NTD85N02R-001

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NTD4806N-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    11.3A Ta 79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3
    Single
    2.14W
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2142pF @ 12V
    23nC @ 4.5V
    23.8ns
    ±20V
    4.7 ns
    79A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD85N02R-001
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    12A Ta 85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3
    Single
    2.4W
    N-Channel
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    2050pF @ 20V
    17.7nC @ 5V
    77ns
    ±20V
    12 ns
    85A
    20V
    24V
    Non-RoHS Compliant
    SILICON
    e0
    3
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    24V
    240
    not_compliant
    85A
    30
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0052Ohm
    192A
    85 mJ
    含铅
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