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NTD4810NH-1G备选型号: NTD4960N-35G
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA4SILICON9A Ta 54A Tc-55°C~175°C TJTube2009e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE265404R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-Channel10m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1225pF @ 12V12nC @ 4.5V30V±20V54A10.8A0.0167Ohm120A30V66 mJ符合RoHS标准无铅-------------
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON8.9A Ta 55A Tc-55°C~175°C TJTube2010e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)-未说明未说明3-不合格-增强型MOSFETDRAINN-Channel8m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA1300pF @ 15V22nC @ 10V-±20V55A8.9A---51.2 mJ符合RoHS标准无铅EAR998MOhmSingle1.68W12 nsSWITCHING20ns4 ns20V30V6.35mm6.73mm2.38mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPS075N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | INFINEON IPS075N03L G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 1 V | 对比 |
| NTD4808N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK | 对比 |
| NTD4810N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK | 对比 |
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