Infineon Technologies IPS075N03LGAKMA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

47W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

47W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准