NTD4854NT4G备选型号: IRLR8743TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON15.7A Ta 128A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.5WDRAINN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA4600pF @ 12V49.2nC @ 4.5V17.6ns±20V8.5 ns128A20V15.7A25V225A338 mJ符合RoHS标准无铅------------
- MOSFET N-CH 30V 160A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET135WDRAINN-ChannelSWITCHING3.1m Ω @ 25A, 10V2.35V @ 100μA4880pF @ 15V59nC @ 4.5V35ns±20V17 ns160A20V-30V640A250 mJROHS3 Compliant无铅12 WeeksHEXFET®3.1MOhm19 ns1.9VTO-252AA1.9 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | 对比 |
| NTD4855NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK | 对比 | |
![]() | IRLR8743PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 对比 |



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