ON Semiconductor NTD4854NT4G

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.7A Ta 128A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

41 ns

Power Dissipation (Max)

1.43W Ta 93.75W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4600pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49.2nC @ 4.5V

上升时间

17.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

128A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15.7A

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

225A

雪崩能量等级（Eas）

338 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅