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NTD4855N-35G备选型号: NTD4805N-35G
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-30代码
MOSFET N-CH 25V 14A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3SILICON14A Ta 98A Tc-55°C~175°C TJTube2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET2.24WDRAINN-ChannelSWITCHING4.3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2950pF @ 12V32.7nC @ 4.5V16.52ns±20V4.35 ns17.7A20V14A0.006Ohm25V197A220 mJ符合RoHS标准无铅-- MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK-通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak-SILICON12.7A Ta 95A Tc-55°C~175°C TJTube2007e3-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET2.24WDRAINN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2865pF @ 12V48nC @ 11.5V20.3ns±20V8 ns95A20V12.6A0.0074Ohm30V175A288 mJ符合RoHS标准-R-PSIP-T3
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLU8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | 对比 |
| NTD4805N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK | 对比 |
 | NTD4804NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK | 对比 |
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