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首页 全部分类 NTD4857NT4G vs FQD19N10LTM

NTD4857NT4G备选型号: FQD19N10LTM

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  • 引脚数量
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  • 资历状况
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 触点镀层
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  • 电阻
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  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD4857NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    12A Ta 78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1960pF @ 12V
    24nC @ 4.5V
    18.7ns
    ±20V
    3.6 ns
    14.6A
    20V
    78A
    0.008Ohm
    25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD19N10LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    15.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 7.8A, 10V
    2V @ 250μA
    870pF @ 25V
    18nC @ 5V
    410ns
    ±20V
    140 ns
    15.6A
    20V
    -
    -
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6 Weeks
    Tin
    260.37mg
    QFET®
    100mOhm
    100V
    15.6A
    14 ns
    2V
    62.4A
    220 mJ
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
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