ON Semiconductor NTD85N02RT4G

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Turn Off Delay Time

25 ns

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta 78.1W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 85A Tc

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

24V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

85A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.7nC @ 5V

上升时间

77ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

85A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

漏源击穿电压

24V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅