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首页 全部分类 NTD4858NAT4G vs IRLR8726TRPBF

NTD4858NAT4G备选型号: IRLR8726TRPBF

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  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD4858NAT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    11.2A Ta 73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    2W
    N-Channel
    6.2m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1563pF @ 12V
    19.2nC @ 4.5V
    13.6A
    20V
    25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    75W
    N-Channel
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    86A
    12V
    30V
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    49ns
    ±20V
    16 ns
    TO-252AA
    0.058Ohm
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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