NTD4979NT4G备选型号: IPD30N03S2L07ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- 配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON9.4A Ta 41A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.56WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA837pF @ 15V16.5nC @ 10V±20V41A9.4A0.019Ohm30V150A18 mJ符合RoHS标准------------
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2006-Obsolete1 (Unlimited)2-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAINN-Channel-6.7m Ω @ 30A, 10V2V @ 85μA1900pF @ 25V68nC @ 10V±20V30A-0.0098Ohm-120A250 mJ符合RoHS标准3OptiMOS™EAR99超低电阻SINGLEAEC-Q101SINGLE WITH BUILT-IN DIODE10 ns30ns30V16 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4865NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | 对比 | |
| NTD70N03R | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 10A DPAK | 对比 | |
| NTD70N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 25V 75A N-Channel | 对比 |



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