ON Semiconductor NTD4979NT4G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Ta 41A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.38W Ta 26.3W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.56W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

837pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

41A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150A

雪崩能量等级（Eas）

18 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准