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NTD5867NL-1G备选型号: HUF75321D3
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- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 关断时间-最大值（toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHMLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTube2010e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)雪崩 额定4R-PSIP-T3Single增强型MOSFET36WDRAIN6.5 nsN-Channel39m Ω @ 10A, 10V2.5V @ 250μA675pF @ 25V15nC @ 10V12.6ns±20V2.4 ns20A1.8V20V0.05Ohm60V76A20.6ns7.62mm6.73mm2.38mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK-通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA--SILICON20A Tc-55°C~175°C TJTube2002e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET93WDRAIN-N-Channel36m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA680pF @ 25V44nC @ 20V55ns±20V66 ns20A-20V0.036Ohm55V-------符合RoHS标准无铅通孔UltraFET™8541.29.00.9555V鸥翼未说明20A未说明不合格SWITCHINGTO-252AA- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD24N06-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 对比 |
| NTD24N06-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 对比 |
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