ON Semiconductor NTD5867NL-1G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

36W Tc

Turn Off Delay Time

18.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

36W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

675pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

12.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.4 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

关断时间-最大值（toff)

20.6ns

高度

7.62mm

长度

6.73mm

宽度

2.38mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅