NTD60N03T4备选型号: IRLR8726TRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 28V 60A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.9528VSINGLE鸥翼未说明not_compliant60A未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 30A, 10V3V @ 250μA2150pF @ 24V30nC @ 4.5V18ns±20V60A0.0075Ohm120ANon-RoHS Compliant含铅-------------------
- MOSFET N-CH 30V 86A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-86A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2005-不用于新设计1 (Unlimited)----------------N-Channel-5.8mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 50μA2150pF @ 15V23nC @ 4.5V49ns±20V86A--ROHS3 Compliant-12 WeeksTinD-PakHEXFET®175°C-55°CSingle75W12 ns30V16 ns12V30V2.15nF5.8mOhm5.8 mΩ2.26mm6.7056mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4959NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA | 对比 | |
![]() | IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
| NTD4858NAT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK | 对比 |



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