IRLR8726TRLPBF
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Infineon Technologies IRLR8726TRLPBF

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型号

IRLR8726TRLPBF

utmel 编号

1211-IRLR8726TRLPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

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IRLR8726TRLPBF
IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

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IRLR8726TRLPBF详情

Infineon Technologies IRLR8726TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    D-Pak

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    86A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    75W Tc

  • Turn Off Delay Time

    15 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2005

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    75W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.8mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.35V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2150pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 4.5V

  • 上升时间

    49ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    86A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 输入电容

    2.15nF

  • 漏源电阻

    5.8mOhm

  • 最大rds

    5.8 mΩ

  • 高度

    2.26mm

  • 长度

    6.7056mm

  • 宽度

    6.22mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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