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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.88267
10
¥0.832708
100
¥0.785573
500
¥0.741107
1000
¥0.699158
Infineon Technologies IRLR8726TRLPBF
- 收藏
- 对比
IRLR8726TRLPBF
1211-IRLR8726TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRLR8726TRLPBF详情
Infineon Technologies IRLR8726TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
86A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
75W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2150pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 4.5V
上升时间
49ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
86A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.15nF
漏源电阻
5.8mOhm
最大rds
5.8 mΩ
高度
2.26mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRLR8726TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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