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首页 全部分类 NTD6415AN-1G vs IRFU5410PBF

NTD6415AN-1G备选型号: IRFU5410PBF

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 系列
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 螺纹距离
  • 引线长度
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTD6415AN-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    NO
    4
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    55MOhm
    Tin (Sn)
    4
    R-PSIP-T3
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    55m Ω @ 23A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    29nC @ 10V
    37ns
    ±20V
    37 ns
    23A
    20V
    100V
    89A
    79 mJ
    7.62mm
    6.73mm
    2.38mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU5410PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.205 Ohm; Id -13A; I-pak (TO-251AA); Pd 66W
    -
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    66W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    205m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    760pF @ 25V
    58nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    46 ns
    -13A
    20V
    -100V
    52A
    -
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    通孔
    HEXFET®
    通孔
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -100V
    260
    -13A
    30
    2.28mm
    9.65mm
    SWITCHING
    100V
    -4V
    0.205Ohm
    -100V
    -4 V
    无SVHC
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