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NTD6415AN-1G备选型号: IRLU3410PBF
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- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 系列
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 23A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON23A Tc-55°C~175°C TJTube2009e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR9955MOhmTin (Sn)4R-PSIP-T3Single增强型MOSFET83WDRAIN10 nsN-Channel55m Ω @ 23A, 10V4V @ 250μA700pF @ 25V29nC @ 10V37ns±20V37 ns23A20V100V89A79 mJ7.62mm6.73mm2.38mm无符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK-通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-3SILICON17A Tc-55°C~175°C TJTube2004e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99105mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier---增强型MOSFET52WDRAIN7.2 nsN-Channel105m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA800pF @ 25V34nC @ 5V53ns±16V26 ns17A16V100V60A150 mJ6.22mm6.7056mm2.3876mm无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks通孔HEXFET®AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE100VSINGLE26017A30SINGLE WITH BUILT-IN DIODESWITCHING2V100V2 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD6416AN-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK | 对比 |
| IRFU3410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK | 对比 |
| IRLU3410PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK | 对比 |
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