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首页 全部分类 NTD70N03RG vs NTD60N02RT4

NTD70N03RG备选型号: NTD60N02RT4

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    鸥翼
    260
    72A
    40
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    ±20V
    1.3 ns
    32A
    20V
    62.8A
    0.013Ohm
    25V
    140A
    71.7 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD60N02RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V 62A N-Channel
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    24V
    鸥翼
    240
    60A
    30
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1330pF @ 20V
    14nC @ 4.5V
    33ns
    ±20V
    33 ns
    32A
    20V
    -
    0.0105Ohm
    25V
    -
    60 mJ
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    4
    yes
    not_compliant
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