NTD70N03RT4备选型号: IPD090N03LGBTMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET 25V 75A N-Channel表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON10A Ta 32A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008e0Obsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn/Pb)8541.29.00.9525V鸥翼240not_compliant70A303R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET1.87WDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 5V1.3ns±20V1.3 ns32A20V62.8A25V140A71.7 mJNon-RoHS Compliant含铅---------
- Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011-不用于新设计1 (Unlimited)----------------N-Channel-9mOhm @ 30A, 10V2.2V @ 250μA1600pF @ 15V15nC @ 10V3ns±20V2.6 ns40A20V----ROHS3 Compliant-12 WeeksPG-TO252-3OptiMOS™175°C-55°C4 ns30V1.6nF9 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD090N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| NTD65N03RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK | 对比 | |
| NTD65N03R | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK | 对比 |



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