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首页 全部分类 NTD95N02RT4 vs IRFR3303TRPBF

NTD95N02RT4备选型号: IRFR3303TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
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  • 电阻
  • 附加功能
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTD95N02RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    12A Ta 32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    24V
    鸥翼
    240
    not_compliant
    95A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    86W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    2400pF @ 20V
    21nC @ 4.5V
    82ns
    ±20V
    70 ns
    32A
    20V
    0.005Ohm
    24V
    84 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    30V
    鸥翼
    260
    -
    33A
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    57W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    750pF @ 25V
    29nC @ 10V
    99ns
    ±20V
    28 ns
    33A
    20V
    -
    30V
    95 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    3
    HEXFET®
    31mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    11 ns
    TO-252AA
    20A
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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