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首页 全部分类 NTGD3148NT1G vs NTGS3441PT1G

NTGD3148NT1G备选型号: NTGS3441PT1G

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    NTGD3148NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -50°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    900mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    NTGD3148N
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    1.1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    300pF @ 10V
    3.8nC @ 4.5V
    11.2ns
    20V
    1.6 ns
    3A
    12V
    3A
    0.07Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGS3441PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    40
    -
    6
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    980mW
    P-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 3A, 4.5V
    1.6V @ 250μA
    345pF @ 15V
    6nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    14 ns
    -2.5A
    12V
    1.8A
    0.11Ohm
    -20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    DUAL
    unknown
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±12V
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NTGS3441PT1G NTGS3441PT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP 对比