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首页 全部分类 NTGS3446T1G vs PMN34LN,135

NTGS3446T1G备选型号: PMN34LN,135

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    NTGS3446T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-23-6
    YES
    6
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    36MOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    5.1A
    40
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 5.1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    750pF @ 10V
    15nC @ 4.5V
    12ns
    ±12V
    12 ns
    5.1A
    850mV
    12V
    2.5A
    20V
    850 mV
    1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN34LN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    -
    SILICON
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    6
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    34m Ω @ 2.5A, 10V
    2V @ 1mA
    500pF @ 20V
    13.1nC @ 10V
    -
    ±15V
    -
    -
    -
    -
    5.7A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    R-PDSO-G6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    20V
    0.034Ohm
    20V
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