Infineon Technologies BSL207SPL6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BSL207SPL6327HTSA1
1211-BSL207SPL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOP T/R
1最小包装量--
BSL207SPL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSL207SPL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
42 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2001
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
41m Ω @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 40μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1007pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
53 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
DS 击穿电压-最小值
20V
雪崩能量等级(Eas)
44 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BSL207SPL6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。