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首页 全部分类 NTHD3100CT1G vs NTHS5443T1G

NTHD3100CT1G备选型号: NTHS5443T1G

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  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTHD3100CT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 3.9A/-4.4A Complementary
    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    4.535924g
    SILICON
    2.9A 3.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    1.1W
    C 弯管
    260
    2.9A
    40
    NTHD3100C
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.1W
    6.3 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    165pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    11.7ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    11.7 ns
    3.9A
    -1.5V
    8V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    3.05mm
    1.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    8
    -
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -20V
    -
    C 弯管
    260
    -3.6A
    40
    -
    8
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    8.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    -
    14 ns
    4.9A
    -
    12V
    -20V
    -
    -
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    逻辑电平兼容
    DUAL
    20V
    ±12V
    0.065Ohm
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