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首页 全部分类 NTHD3102CT1G vs NTHD4N02FT1G

NTHD3102CT1G备选型号: NTHD4N02FT1G

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    NTHD3102CT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    4.535924g
    SILICON
    4A 3.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    600mW
    C 弯管
    260
    5.5A
    40
    NTHD3102C
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    600mW
    7.2 ns
    1.1W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 4.4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    510pF @ 10V
    7.9nC @ 4.5V
    16.9ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    16.9 ns
    5.5A
    400mV
    8V
    4A
    0.045Ohm
    -20V
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4N02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
    -
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    8
    -
    SILICON
    2.9A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    -
    C 弯管
    260
    2.7A
    40
    -
    8
    -
    增强型MOSFET
    910mW
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    9ns
    -
    9 ns
    3.9A
    -
    12V
    2.9A
    -
    20V
    -
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    DUAL
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±12V
    50 pF
  • 添加型号
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