ON Semiconductor NTHD3102CT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A 3.1A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

600mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTHD3102C

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

600mW

接通延迟时间

7.2 ns

功率 - 最大

1.1W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 4.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.9nC @ 4.5V

上升时间

16.9ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16.9 ns

连续放电电流(ID)

5.5A

阈值电压

400mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅