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首页 全部分类 NTHD4401PT1G vs NTHS5443T1G

NTHD4401PT1G备选型号: NTHS5443T1G

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTHD4401PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V -3A Dual P-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 8 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -20V
    1.1W
    C 弯管
    260
    -2.1A
    40
    NTHD4401P
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.1W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    155m Ω @ 2.1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    13 ns
    2.1A
    12V
    0.155Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    50 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -20V
    -
    C 弯管
    260
    -3.6A
    40
    -
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.3W
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    14 ns
    4.9A
    12V
    0.065Ohm
    -20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2 Weeks
    逻辑电平兼容
    DUAL
    Single
    8.5 ns
    ±12V
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无
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