NTHD4502NT1备选型号: NTHS5443T1G

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  • ECCN 代码
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  • Reach合规守则
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  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    30V
    640mW
    C 弯管
    240
    not_compliant
    3.9A
    30
    NTHD4502N
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.13W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    85m Ω @ 2.9A, 10V
    3V @ 250μA
    140pF @ 15V
    7nC @ 10V
    5.4ns
    5.4 ns
    2.2A
    20V
    2.9A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    25 pF
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -20V
    -
    C 弯管
    260
    -
    -3.6A
    40
    -
    8
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.3W
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    14 ns
    4.9A
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    yes
    逻辑电平兼容
    DUAL
    Single
    8.5 ns
    20V
    ±12V
    0.065Ohm
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
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