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首页 全部分类 NTHD4508NT1G vs NTHC5513T1G

NTHD4508NT1G备选型号: NTHC5513T1G

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 极性/通道类型
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    NTHD4508NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    2.1W
    C 弯管
    260
    3.1A
    40
    NTHD4508N
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.13W
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    75m Ω @ 3.1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    180pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    15ns
    15 ns
    4.1A
    1.2V
    12V
    0.075Ohm
    20V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHC5513T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V 1206A
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    YES
    8
    SILICON
    2.9A 2.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    1.1W
    C 弯管
    260
    3.1A
    40
    NTHC5513
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.1W
    7 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    180pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    13ns
    -
    3.9A
    600mV
    12V
    -
    -20V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.535924g
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    600 mV
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