ON Semiconductor NTHS5443T1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-3.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅