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首页 全部分类 NTHD4N02FT1G vs EMH2801-TL-H

NTHD4N02FT1G备选型号: EMH2801-TL-H

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTHD4N02FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2.9A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    2.7A
    40
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    910mW
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    300pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    9ns
    ±12V
    9 ns
    3.9A
    12V
    2.9A
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    50 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMH2801-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3A EMH8
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    -
    1W
    P-Channel
    -
    85m Ω @ 1.5A, 4.5V
    -
    320pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    21ns
    ±10V
    32 ns
    3A
    10V
    -
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    24 Weeks
    Single
    7.1 ns
    无卤素
    750μm
    2mm
    1.7mm
    无
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