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首页 全部分类 NTHD5905T1 vs NTHD3133PFT1G

NTHD5905T1备选型号: NTHD3133PFT1G

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTHD5905T1
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 8V 3A 8-Pin Chip FET T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -8V
    1.1W
    C 弯管
    未说明
    not_compliant
    -3A
    未说明
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    90m Ω @ 3A, 4.5V
    450mV @ 250μA
    9nC @ 4.5V
    45ns
    8V
    3A
    3A
    0.09Ohm
    8V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD3133PFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    3.2A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    C 弯管
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    7.4nC @ 4.5V
    11.7ns
    -
    -4.4A
    3.2A
    -
    -
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    yes
    DUAL
    1.1W
    5.8 ns
    680pF @ 10V
    ±8V
    11.7 ns
    8V
    20V
    无
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